半导体器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110255756.7
申请日
2011-08-31
公开(公告)号
CN102969269A
公开(公告)日
2013-03-13
发明(设计)人
毛智彪 胡友存
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L23522
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
陆花
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
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共 50 条
[21]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘煊杰 ;
陈晓军 .
中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27
[22]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20
[23]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
胡敏达 ;
周俊卿 ;
张海洋 .
中国专利 :CN102543845A ,2012-07-04
[24]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
骆志炯 ;
朱慧珑 ;
尹海洲 .
中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12
[25]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
宛伟 .
中国专利 :CN111128895A ,2020-05-08
[26]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02
[27]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
伏兵 ;
嵇庆培 ;
马英杰 ;
蔡和勋 ;
许宗琦 .
中国专利 :CN114156383A ,2022-03-08
[28]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN104716030B ,2015-06-17
[29]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
缪海生 ;
张建栋 ;
冯冰 .
中国专利 :CN113889572A ,2022-01-04
[30]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
伏兵 ;
嵇庆培 ;
马英杰 ;
蔡和勋 ;
许宗琦 .
中国专利 :CN114156383B ,2024-06-21