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一种半导体晶圆减薄方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010034702.7
申请日
:
2020-01-14
公开(公告)号
:
CN113192819A
公开(公告)日
:
2021-07-30
发明(设计)人
:
卢文胜
申请人
:
申请人地址
:
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
郝传鑫
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-30
公开
公开
共 50 条
[11]
一种基于半导体晶圆的减薄装置
[P].
张生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日月新半导体(苏州)有限公司
日月新半导体(苏州)有限公司
张生
.
中国专利
:CN223519290U
,2025-11-07
[12]
一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法
[P].
保爱林
论文数:
0
引用数:
0
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0
保爱林
;
吴金姿
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴金姿
.
中国专利
:CN102061474B
,2011-05-18
[13]
半导体结构以及晶圆减薄的方法
[P].
刘宇恒
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘宇恒
.
中国专利
:CN115332102A
,2022-11-11
[14]
半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆
[P].
柳井凉一
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
柳井凉一
.
日本专利
:CN120731491A
,2025-09-30
[15]
III-V族半导体晶圆的减薄方法
[P].
王鹤龙
论文数:
0
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0
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王鹤龙
;
陆嘉鑫
论文数:
0
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陆嘉鑫
;
王国杰
论文数:
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0
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0
王国杰
.
中国专利
:CN110253421A
,2019-09-20
[16]
一种晶圆减薄方法
[P].
陈林
论文数:
0
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陈林
;
徐超
论文数:
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徐超
;
吴旭升
论文数:
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0
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0
吴旭升
.
中国专利
:CN106033708A
,2016-10-19
[17]
一种III-V族半导体晶圆的减薄方法
[P].
王鹤龙
论文数:
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0
王鹤龙
.
中国专利
:CN114220731A
,2022-03-22
[18]
一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法
[P].
朱世兴
论文数:
0
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朱世兴
;
耿振华
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耿振华
;
程常占
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程常占
.
中国专利
:CN102779730A
,2012-11-14
[19]
一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法
[P].
周诗健
论文数:
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周诗健
;
窦璨
论文数:
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窦璨
.
中国专利
:CN107742602A
,2018-02-27
[20]
晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置
[P].
苏亚青
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苏亚青
;
张守龙
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张守龙
;
季芝慧
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季芝慧
;
谭秀文
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谭秀文
;
叶斐
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叶斐
;
陈裕
论文数:
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陈裕
.
中国专利
:CN112349579A
,2021-02-09
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