一种半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710312298.3

申请日：

2017-05-05

公开(公告)号：

CN108807401A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

韩亮周朝锋李晓波

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20170505
2021-03-23	授权	授权
2018-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106356301A ,2017-01-25

[2]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

张海洋 ;

陈卓凡 .

中国专利 :CN106298673B ,2017-01-04

[3]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

李勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106910715A ,2017-06-30

[4]

半导体器件制造方法 [P].

徐伟中 ;

叶彬 ;

马桂英 .

中国专利 :CN102468172B ,2012-05-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112864151A ,2021-05-28

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102956647A ,2013-03-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

王欢 .

中国专利 :CN114899101A ,2022-08-12

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN103531589A ,2014-01-22

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

崔容建 .

中国专利 :CN101383325B ,2009-03-11

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

常冰岩 ;

冯远皓 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN117673092A ,2024-03-08

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