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一种二维半导体薄膜的转移方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311847045.8
申请日
:
2023-12-28
公开(公告)号
:
CN117812981A
公开(公告)日
:
2024-04-02
发明(设计)人
:
谭化兵
瞿研
郭冰
申请人
:
常州第六元素半导体有限公司
江苏江南烯元石墨烯科技有限公司
申请人地址
:
215000 江苏省常州市西太湖科技产业园祥云路6号4号楼1楼
IPC主分类号
:
H10K71/50
IPC分类号
:
H10K71/80
H10K85/20
代理机构
:
北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686
代理人
:
齐玲
法律状态
:
公开
国省代码
:
安徽省 安庆市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-02
公开
公开
2024-04-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10K 71/50申请日:20231228
共 50 条
[11]
一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
潘宇
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐晓龙
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李艳平
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
叶堉
.
中国专利
:CN115602526B
,2025-07-15
[12]
一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法
[P].
潘宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘宇
;
徐晓龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐晓龙
;
李艳平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李艳平
;
叶堉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
叶堉
.
中国专利
:CN115602526A
,2023-01-13
[13]
一种短沟道二维半导体器件制备方法
[P].
周鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
绍芯实验室
绍芯实验室
周鹏
;
包文中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
绍芯实验室
绍芯实验室
包文中
;
夏银
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
绍芯实验室
绍芯实验室
夏银
.
中国专利
:CN120812971A
,2025-10-17
[14]
一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法
[P].
张广宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
张广宇
;
张兴超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
张兴超
;
王硕培
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
王硕培
;
李娜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
李娜
.
中国专利
:CN119920682A
,2025-05-02
[15]
一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法
[P].
张广宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
张广宇
;
张兴超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
张兴超
;
王硕培
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
王硕培
;
李娜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
松山湖材料实验室
松山湖材料实验室
李娜
.
中国专利
:CN119920682B
,2025-10-03
[16]
一种二维半导体材料化学气相沉积装置
[P].
肖佳展
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安石油大学
西安石油大学
肖佳展
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
郑嘉璐
.
中国专利
:CN220846260U
,2024-04-26
[17]
一种二维半导体材料的金属接触结构
[P].
童领
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
童领
;
包文中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
包文中
;
马静怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马静怡
;
郭晓娇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭晓娇
;
陈新宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈新宇
;
夏银
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
夏银
;
周鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周鹏
;
张卫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张卫
.
中国专利
:CN213782022U
,2021-07-23
[18]
一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜
[P].
朱剑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱剑
;
高香香
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高香香
;
尹君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
尹君
;
卞刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卞刚
.
中国专利
:CN111863624B
,2020-10-30
[19]
基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管
[P].
姜建峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京大学
北京大学
姜建峰
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
邱晨光
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
彭练矛
.
中国专利
:CN115911105B
,2024-08-02
[20]
一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
朱超
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
刘超
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王琳
;
袁启辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东南大学
东南大学
袁启辉
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
孙立涛
.
中国专利
:CN121099636A
,2025-12-09
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