一种二维半导体薄膜的转移方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311847045.8
申请日
2023-12-28
公开(公告)号
CN117812981A
公开(公告)日
2024-04-02
发明(设计)人
谭化兵 瞿研 郭冰
申请人
常州第六元素半导体有限公司 江苏江南烯元石墨烯科技有限公司
申请人地址
215000 江苏省常州市西太湖科技产业园祥云路6号4号楼1楼
IPC主分类号
H10K71/50
IPC分类号
H10K71/80 H10K85/20
代理机构
北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686
代理人
齐玲
法律状态
公开
国省代码
安徽省 安庆市
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共 50 条
[11]
一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法 [P]. 
潘宇 ;
徐晓龙 ;
李艳平 ;
叶堉 .
中国专利 :CN115602526B ,2025-07-15
[12]
一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法 [P]. 
潘宇 ;
徐晓龙 ;
李艳平 ;
叶堉 .
中国专利 :CN115602526A ,2023-01-13
[13]
一种短沟道二维半导体器件制备方法 [P]. 
周鹏 ;
包文中 ;
夏银 .
中国专利 :CN120812971A ,2025-10-17
[14]
一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法 [P]. 
张广宇 ;
张兴超 ;
王硕培 ;
李娜 .
中国专利 :CN119920682A ,2025-05-02
[15]
一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法 [P]. 
张广宇 ;
张兴超 ;
王硕培 ;
李娜 .
中国专利 :CN119920682B ,2025-10-03
[16]
一种二维半导体材料化学气相沉积装置 [P]. 
肖佳展 ;
郑嘉璐 .
中国专利 :CN220846260U ,2024-04-26
[17]
一种二维半导体材料的金属接触结构 [P]. 
童领 ;
包文中 ;
马静怡 ;
郭晓娇 ;
陈新宇 ;
夏银 ;
周鹏 ;
张卫 .
中国专利 :CN213782022U ,2021-07-23
[18]
一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜 [P]. 
朱剑 ;
高香香 ;
尹君 ;
卞刚 .
中国专利 :CN111863624B ,2020-10-30
[19]
基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P]. 
姜建峰 ;
邱晨光 ;
彭练矛 .
中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02
[20]
一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用 [P]. 
朱超 ;
刘超 ;
王琳 ;
袁启辉 ;
孙立涛 .
中国专利 :CN121099636A ,2025-12-09