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低含水量のフォトレジスト剥離液用濃縮液の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100517219
申请日
:
2009-08-27
公开(公告)号
:
JPWO2010073430A1
公开(公告)日
:
2012-05-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07C209/84
IPC分类号
:
C07C209/90
C07C211/63
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
フォトレジスト剥離液[ja]
[P].
日本专利
:JP2025164820A
,2025-10-30
[2]
フォトレジスト剥離液[ja]
[P].
KOBAYASHI TADASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NAGASE CHEMTEX CORP
NAGASE CHEMTEX CORP
KOBAYASHI TADASHI
;
NISHIJIMA YOSHITAKA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NAGASE CHEMTEX CORP
NAGASE CHEMTEX CORP
NISHIJIMA YOSHITAKA
.
日本专利
:JP2024014773A
,2024-02-01
[3]
フォトレジスト剥離液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017065153A1
,2018-07-26
[4]
レジスト剥離液とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5885043B1
,2016-03-15
[5]
レジスト剥離液とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5885045B1
,2016-03-15
[6]
ポジ型フォトレジスト及び構造体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005050319A1
,2007-06-07
[7]
フォトレジスト現像液、および該現像液を用いた基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006134902A1
,2009-01-08
[8]
半導体基板からフォトレジストを除去するための剥離組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2019518986A
,2019-07-04
[9]
半導体基板からフォトレジストを除去するための剥離組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2018503127A
,2018-02-01
[10]
フォトレジスト組成物およびその硬化物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020203790A1
,2021-04-30
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