共 50 条
[21]
強誘電体材料、強誘電体材料を含むMEMSコンポーネント、第1のMEMSコンポーネントを備えるMEMSデバイス、MEMSコンポーネントを製造する方法、及びCMOS対応MEMSコンポーネントを製造する方法[ja]
[P].
日本专利 :JP2021520074A ,2021-08-12
[22]
トランジスタ、トランジスタのアレイ、コンデンサと高さ方向に延伸するトランジスタと個別に含むメモリセルのアレイ、及びトランジスタのアレイを形成する方法[ja]
[P].
日本专利 :JP2021523555A ,2021-09-02
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
