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半导体结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410383916.3
申请日：
2024-04-01
公开(公告)号：
CN118335783A
公开(公告)日：
2024-07-12
发明(设计)人：
杨俊
余家海
冯锐
梁晓明
相奇
朱普磊
申请人：
广东芯粤能半导体有限公司
申请人地址：
511458 广东省广州市南沙区环市大道南33号
IPC主分类号：
H01L29/423
IPC分类号：
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
史治法
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
山东省
青岛市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20240401 |
| 2024-07-12 | 公开 | 公开 |