沟槽功率半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011171440.5

申请日：

2020-10-28

公开(公告)号：

CN112216743B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

朱袁正周锦程

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权

共 50 条

[31]

功率半导体器件及制造工艺 [P].

赖海波 .

中国专利 :CN104241383B ,2014-12-24

[32]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

[33]

功率半导体器件及制造该功率半导体器件的方法 [P].

黄瑄珪 ;

金钟燮 .

中国专利 :CN115148793A ,2022-10-04

[34]

功率半导体器件及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

李光远 ;

徐永浩 ;

马丁·多梅杰 ;

朴金硕 .

中国专利 :CN112397590A ,2021-02-23

[35]

一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN102832234B ,2012-12-19

[36]

功率半导体器件及制造方法 [P].

G·古普塔 ;

L·德-米奇伊里斯 ;

W·A·维塔勒 .

:CN117652033A ,2024-03-05

[37]

功率半导体器件及制造方法 [P].

阿肖克·沙拉 ;

艾伦·埃尔班霍威 ;

克里斯托弗·B·科康 ;

史蒂文·P·萨普 ;

彼得·H·威尔逊 ;

巴巴克·S·萨尼 .

中国专利 :CN101180737B ,2008-05-14

[38]

功率半导体器件及制造方法 [P].

阿肖克·沙拉 ;

艾伦·埃尔班霍威 ;

克里斯托弗·B·科康 ;

史蒂文·P·萨普 ;

彼得·H·威尔逊 ;

巴巴克·S·萨尼 .

中国专利 :CN101794817A ,2010-08-04

[39]

一种沟槽栅超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN216597595U ,2022-05-24

[40]

功率半导体器件及制备方法 [P].

李寿全 ;

刘志国 ;

张彦飞 ;

赵哿 ;

温霄霞 ;

刘梦新 .

中国专利 :CN119451198A ,2025-02-14

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