沟槽功率半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011171440.5

申请日：

2020-10-28

公开(公告)号：

CN112216743B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

朱袁正周锦程

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权

共 50 条

[21]

功率半导体器件 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN216250740U ,2022-04-08

[22]

沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN113314589A ,2021-08-27

[23]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201A ,2024-10-08

[24]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201B ,2025-06-06

[25]

功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法 [P].

让·米切尔·雷内斯 ;

斯特凡·阿尔维斯 ;

阿兰·德朗 ;

布兰迪诺·洛佩斯 ;

乔尔·马尔盖里塔 .

中国专利 :CN101228636A ,2008-07-23

[26]

一种优化终端结构的沟槽型半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN107204372A ,2017-09-26

[27]

功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P].

苏梨梨 ;

曹俊 ;

敖利波 ;

史波 ;

马浩华 .

中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14

[28]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[29]

纵向功率半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

周坤 ;

范叶 ;

范远航 ;

蒋永恒 ;

王沛 ;

王骁玮 ;

罗尹春 ;

蔡金勇 ;

张波 .

中国专利 :CN102945799B ,2013-02-27

[30]

一种功率半导体器件制备方法及功率半导体器件 [P].

卓宁泽 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN120239311A ,2025-07-01

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