共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
沟槽功率半导体器件及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011171440.5
申请日：
2020-10-28
公开(公告)号：
CN112216743B
公开(公告)日：
2024-11-29
发明(设计)人：
朱袁正
周锦程
申请人：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址：
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/336
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;涂三民
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
无锡市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-29 | 授权 | 授权 |