TRANSIENT TEMPERATURE PROFILES WITHIN ACTIVE REGION OF UNIFORMLY DOPED AND HIGH-LOW DOPED SCHOTTKY IMPATTS

被引:9
作者
AMOSS, JW
ELFE, TB
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1978.19242
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页数:7
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