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第三代半导体材料生长与器件应用的研究
被引：42
作者：
李嘉席
孙军生
陈洪建
张恩怀
机构：
[1] 河北工业大学材料学院
[2] 河北工业大学材料学院 天津
[3] 天津
来源：
关键词：
碳化硅;
氮化嫁;
晶体生长;
半导体器件;
宽带隙半导体;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.055 [];
学科分类号：
摘要：
着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向．
引用
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