850nm大功率垂直腔面发射激光器

被引：11

作者：

史晶晶 ^{[1
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田振华 ^{[1
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秦莉 ^{[1
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张岩 ^{[1
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王贞福 ^{[1
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梁雪梅 ^{[1
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杨晔 ^{[1
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宁永强 ^{[1
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刘云 ^{[1
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王立军 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

[2] 中国科学院研究生院

来源：

光电子激光. | 2010年 / 21卷 / 10期

关键词：

激光器; 高功率; 非闭合; 850nm;

D O I：

10.16136/j.joel.2010.10.011

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

针对传统顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)的散热、电极生长以及Au丝引线等难题,研究了一种非闭合型的大功率VCSEL结构,不仅解决了上述问题,还简化了工艺步骤,避免了一些工艺对已形成器件结构造成的损伤,提高了激光器的可靠性以及电流注入效率。利用该结构制作的激光器室温下连续输出最大功率达到46 mW,激射波长为849.5 nm,激射光谱半高宽(FWHM)为0.6 nm;在150 mA的注入电流下,发散角为10°。在室温5、0μs脉冲条件下,测得的最高输出光功率为69 mW。

引用

页码：1445 / 1448

页数：4

共 10 条

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