BACKGROUND FORMATION IN SIMS ANALYSIS OF HYDROGEN, CARBON, NITROGEN AND OXYGEN IN SILICON

被引:50
作者
WITTMAACK, K
机构
来源
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH | 1983年 / 218卷 / 1-3期
关键词
D O I
10.1016/0167-5087(83)91001-3
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
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页码:327 / 332
页数:6
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