一种晶圆级计量标准器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110069987.2

申请日：

2021-01-19

公开(公告)号：

CN112881960A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

饶张飞秦凯亮金红霞

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

IPC主分类号：

G01R3500

IPC分类号：

G01B2100 G03F720

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

崔方方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 35/00 申请日:20210119
2021-06-01	公开	公开

共 50 条

[21]

一种Si基SiC晶圆及其制备方法 [P].

王磊 ;

赵泓达 ;

李博 ;

郑中山 ;

张学文 ;

韩郑生 ;

高见头 ;

滕瑞 ;

刘海南 ;

赵发展 .

中国专利 :CN114823479A ,2022-07-29

[22]

一种复合薄膜、复合硅晶圆及其制备方法与应用 [P].

王晓龙 ;

尹勇 ;

龚燕飞 .

中国专利 :CN111696849A ,2020-09-22

[23]

半导体器件及其晶圆级封装 [P].

许仕逸 ;

谢东宪 ;

周哲雅 .

中国专利 :CN105990312A ,2016-10-05

[24]

一种晶圆级电子元器件 [P].

黄向向 ;

道格拉斯·斯巴克斯 ;

关健 .

中国专利 :CN205051164U ,2016-02-24

[25]

一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法 [P].

戴飞虎 ;

王成迁 ;

刘逸寒 ;

叶振荣 ;

侯晋燕 .

中国专利 :CN114649281B ,2025-07-15

[26]

一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法 [P].

戴飞虎 ;

王成迁 ;

刘逸寒 ;

叶振荣 ;

侯晋燕 .

中国专利 :CN114649281A ,2022-06-21

[27]

一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

周永珍 .

中国专利 :CN107591452B ,2024-03-12

[28]

一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

周永珍 .

中国专利 :CN107591452A ,2018-01-16

[29]

一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法 [P].

张国伟 .

中国专利 :CN102194796A ,2011-09-21

[30]

一种影像传感器晶圆级封装结构 [P].

王成迁 .

中国专利 :CN209822644U ,2019-12-20

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