一种晶圆级计量标准器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110069987.2

申请日：

2021-01-19

公开(公告)号：

CN112881960A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

饶张飞秦凯亮金红霞

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

IPC主分类号：

G01R3500

IPC分类号：

G01B2100 G03F720

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

崔方方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 35/00 申请日:20210119
2021-06-01	公开	公开

共 50 条

[41]

一种晶圆级功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周永珍 .

中国专利 :CN207250527U ,2018-04-17

[42]

一种包含多种校准类型的晶圆标准样板及其制作方法 [P].

蒋庄德 ;

张雅馨 ;

王琛英 ;

景蔚萱 ;

林启敬 ;

张易军 ;

张亮亮 ;

高崐 ;

李磊 ;

毛琦 ;

王松 ;

牛忠楠 .

中国专利 :CN112114285A ,2020-12-22

[43]

一种垂直互连晶圆级封装结构 [P].

王成迁 ;

明雪飞 ;

吉勇 ;

李守委 ;

徐罕 .

中国专利 :CN211788996U ,2020-10-27

[44]

一种影像传感器晶圆级封装方法及封装结构 [P].

王成迁 .

中国专利 :CN110349986A ,2019-10-18

[45]

晶圆级图像传感器封装件 [P].

吴纹浩 ;

庄君豪 ;

桥本一明 ;

周耕宇 ;

江伟杰 ;

黄正宇 .

中国专利 :CN110957333B ,2020-04-03

[46]

一种低衬底漏电的RFSOI晶圆及其制备方法 [P].

李博 ;

刘凡宇 ;

张铁馨 ;

黄杨 ;

陈思远 .

中国专利 :CN117594521A ,2024-02-23

[47]

一种面向晶圆级微纳间隙电极制备的斜沉积方法 [P].

李沫 ;

李越 ;

张健 ;

赵海全 ;

陈飞良 .

中国专利 :CN117524860A ,2024-02-06

[48]

一种SOI晶圆片的制备方法 [P].

高文琳 .

中国专利 :CN110739208A ,2020-01-31

[49]

制备绝缘衬底上硅晶圆和器件的方法及其SOI晶圆 [P].

邢超 ;

王伟 .

中国专利 :CN120637311A ,2025-09-12

[50]

一种玻璃晶圆结构 [P].

汪鹏 ;

徐艳 ;

徐建卫 .

中国专利 :CN209216919U ,2019-08-06

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