一种直写曝光光刻系统

被引：0

申请号：

CN202210340646.9

申请日：

2022-04-02

公开(公告)号：

CN114779587A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

柯华恒黄燕燕王笑冰李洪江梁德文

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区田寮社区聚汇工业园1栋

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

刘建伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	公开	公开
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20220402

共 50 条

[1]

直写光刻系统 [P].

柯华恒 ;

黄燕燕 ;

王笑冰 ;

李洪江 ;

周海滨 .

中国专利 :CN114779586A ,2022-07-22

[2]

直写式曝光系统及光刻机 [P].

陈超 ;

陈锡媛 ;

蔡自立 ;

零萍 .

中国专利 :CN117348351A ,2024-01-05

[3]

一种直写式光刻系统的曝光方法 [P].

廖绍良 ;

李幸幸 ;

张雷 .

中国专利 :CN117687270A ,2024-03-12

[4]

直写式光刻系统中采用灰度方式提高曝光图形质量的方法 [P].

卢云君 ;

李显杰 ;

刘文海 .

中国专利 :CN102621816B ,2012-08-01

[5]

一种直写光刻机的曝光系统 [P].

张柯 ;

李伟成 ;

张雷 .

中国专利 :CN112394619A ,2021-02-23

[6]

直写光刻系统和直写光刻方法 [P].

浦东林 ;

朱鹏飞 ;

朱鸣 ;

邵仁锦 ;

张瑾 ;

王冠楠 ;

陈林森 .

中国专利 :CN112987501B ,2021-06-18

[7]

曝光横竖线宽一致的无掩膜直写光刻机 [P].

吴俊 ;

李文静 ;

李显杰 ;

刘文海 .

中国专利 :CN202383419U ,2012-08-15

[8]

面曝光激光直写系统及方法 [P].

黄婷 ;

戴威 .

中国专利 :CN120295066A ,2025-07-11

[9]

一种直写式光刻系统 [P].

刘栋 ;

胡传武 ;

张雷 .

中国专利 :CN116224717B ,2025-09-12

[10]

一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光系统及方法 [P].

赵圆圆 ;

段宣明 ;

董贤子 ;

郑美玲 .

中国专利 :CN112764320A ,2021-05-07

← 1 2 3 4 5 →