MEMS传感器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110082211.4

申请日：

2021-01-21

公开(公告)号：

CN112758883A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

宋亚伟迟海宋学谦

申请人：

申请人地址：

311501 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区求是路299号A1号楼

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81B702 B81C100

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

杨春香

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20210121
2021-05-07	公开	公开

共 50 条

[21]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

关荣锋 ;

田大垒 ;

赵文卿 ;

王杏 .

中国专利 :CN101738280B ,2010-06-16

[22]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

柳连俊 .

中国专利 :CN102183335A ,2011-09-14

[23]

耐压MEMS水声传感器及其制作方法 [P].

刘文娟 ;

王冉 ;

吴国强 ;

刘胜 ;

孙成亮 .

中国专利 :CN120500262A ,2025-08-15

[24]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

张鹏举 ;

刘汉青 ;

张郑欣 ;

郭蕾 ;

张佳立 ;

崔军蕊 ;

付和平 ;

田总福 ;

陈龙 .

中国专利 :CN119803739A ,2025-04-11

[25]

MEMS热式流量传感器及其制作方法 [P].

肖素艳 ;

胡维 ;

张永强 .

中国专利 :CN111579012A ,2020-08-25

[26]

堆叠式MEMS传感器封装体、芯片及其制作方法 [P].

赵照 .

中国专利 :CN106477510A ,2017-03-08

[27]

集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构 [P].

P·斯迈斯 .

中国专利 :CN106660782A ,2017-05-10

[28]

MEMS传感器微桥桥面的制作方法 [P].

康晓旭 ;

钟晓兰 ;

沈若曦 .

中国专利 :CN111960377A ,2020-11-20

[29]

MEMS传感器微桥桥面的制作方法 [P].

康晓旭 ;

钟晓兰 ;

沈若曦 .

中国专利 :CN111960377B ,2024-03-15

[30]

MEMS传感器、MEMS传感器系统及其制造方法 [P].

D·图姆波德 ;

D·迈尔 .

中国专利 :CN110498385A ,2019-11-26

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