一种高K和金属栅极的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110386888.3

申请日：

2011-11-29

公开(公告)号：

CN102427030A

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

周军

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706876554 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103868883 申请公布日:20120425
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101287120032 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103868883 申请日:20111129
2012-04-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高K和金属栅极的制作方法 [P].

周军 .

中国专利 :CN102427032A ,2012-04-25

[2]

一种高K金属栅极结构的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 .

中国专利 :CN104900505A ,2015-09-09

[3]

金属栅极制作方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103681273A ,2014-03-26

[4]

一种高k/金属栅极结构及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN104241343B ,2014-12-24

[5]

一种高K金属栅极结构及其制作方法 [P].

雷海波 ;

田明 ;

宋洋 ;

廖端泉 .

中国专利 :CN110504302A ,2019-11-26

[6]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

杨建伦 ;

许启茂 ;

吴俊元 ;

郑子铭 ;

邹世芳 ;

林进富 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 .

中国专利 :CN102683397A ,2012-09-19

[7]

用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101599436A ,2009-12-09

[8]

栅极堆叠结构的制作方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119008393A ,2024-11-22

[9]

栅极制作方法 [P].

郑志祥 .

中国专利 :CN101192528A ,2008-06-04

[10]

金属栅极的制作方法 [P].

王韶韦 ;

王俞仁 ;

林建良 ;

邓文仪 ;

吕佐文 ;

陈致中 ;

颜英伟 ;

林钰闵 ;

简金城 ;

陈哲明 ;

徐俊伟 ;

张家隆 ;

吴宜静 ;

詹书俨 .

中国专利 :CN102842491A ,2012-12-26

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