エッチング残留物の少ない金属酸化物のエッチング方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200531606

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

JP7366019B2

公开(公告)日：

2023-10-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/302

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共 50 条

[21]

酸化物半導体膜のエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JP7366936B2 ,2023-10-23

[22]

酸化物半導体膜のエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020145080A1 ,2021-11-25

[23]

エッチング方法及びエッチング装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018020822A1 ,2019-05-09

[24]

シリコン窒化物のエッチング方法及びエッチング装置[ja] [P].

SUZUKI SHOI ;

YAO AKIFUMI .

日本专利 :JP2024152901A ,2024-10-25

[25]

樹脂組成物用のエッチング液及びエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018186362A1 ,2020-01-16

[26]

エッチング方法[ja] [P].

TONARI KAZUHIKO ;

ONO YOHEI ;

SON JINHYEOK ;

PARK JUN-CHANG ;

LEE HYUNHWA ;

BAE JINJU .

日本专利 :JP2025025807A ,2025-02-21

[27]

エッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018225661A1 ,2020-04-09

[28]

エッチング組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2022536763A ,2022-08-18

[29]

エッチング組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2022519267A ,2022-03-22

[30]

エッチング方法およびエッチング装置[ja] [P].

TAKEYA KOJI ;

KANEKI TOSHIKI ;

KAWAGUCHI TSUBASA .

日本专利 :JP2024044428A ,2024-04-02

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