表面组装与元器件高密度互连封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422637565.2

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN223566615U

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

严俊王鹏曹辉吴宪军高健赵华宋宪辉刘红乾胡道敏周海龙

申请人：

信阳中部半导体技术有限公司

申请人地址：

464000 河南省信阳市高新区工22路6号A5厂房3楼

IPC主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/498 H01L25/00

代理机构：

常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙) 32328

代理人：

曹军

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

高密度管脚QFN的封装结构与方法 [P].

尹保冠 ;

陈建超 ;

于上家 .

中国专利 :CN111106089A ,2020-05-05

[2]

具有高密度互连的半导体封装 [P].

A·A·埃尔谢尔比尼 ;

J·M·斯旺 ;

S·M·利夫 ;

H·布劳尼施 ;

K·巴拉斯 ;

J·索托冈萨雷斯 ;

J·A·法尔孔 .

中国专利 :CN109844945A ,2019-06-04

[3]

高密度桥连封装方法和封装结构 [P].

徐玉鹏 ;

钟磊 ;

何正鸿 ;

简志宏 .

中国专利 :CN121034962A ,2025-11-28

[4]

高密度半导体封装结构 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN202633290U ,2012-12-26

[5]

高密度互连器件及方法 [P].

M·K·洛伊 ;

M·J·曼努沙洛 .

中国专利 :CN103887289A ,2014-06-25

[6]

高密度沟槽器件结构 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN212517212U ,2021-02-09

[7]

高密度衬底叠层封装结构和封装方法 [P].

何正鸿 ;

戴风伟 ;

简志宏 ;

田旭 .

中国专利 :CN119133139B ,2025-03-07

[8]

高密度衬底叠层封装结构和封装方法 [P].

何正鸿 ;

戴风伟 ;

简志宏 ;

田旭 .

中国专利 :CN119133139A ,2024-12-13

[9]

高密度互连散热结构的高频阻抗PCB板封装装置 [P].

袁江涛 ;

高楚涛 .

中国专利 :CN208094888U ,2018-11-13

[10]

一种异构芯片高密度互连的扇出型封装结构 [P].

柯峥 ;

朱家昌 ;

章国涛 ;

高艳 ;

李聪 .

中国专利 :CN217847936U ,2022-11-18

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