ANNEALING OF SELENIUM-IMPLANTED GAAS

被引:17
作者
BARRETT, NJ [1 ]
GRANGE, JD [1 ]
SEALY, BJ [1 ]
STEPHENS, KG [1 ]
机构
[1] UNIV SURREY,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND
关键词
D O I
10.1063/1.333916
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:3503 / 3507
页数:5
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