ANISOTROPIC REACTIVE ION ETCHING TECHNIQUE OF GAAS AND ALGAAS MATERIALS FOR INTEGRATED OPTICAL-DEVICE FABRICATION

被引:28
作者
YAMADA, H
ITO, H
INABA, H
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 03期
关键词
D O I
10.1116/1.583076
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:884 / 888
页数:5
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