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スパッタリングターゲット、および、Ag膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210177704
申请日
:
2021-10-29
公开(公告)号
:
JP2022124997A
公开(公告)日
:
2022-08-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[41]
磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015080009A1
,2017-03-16
[42]
FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013105647A1
,2015-05-11
[43]
銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016186070A1
,2018-03-08
[44]
磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016140113A1
,2017-06-29
[45]
FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013105648A1
,2015-05-11
[46]
タングステンターゲットおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012042791A1
,2014-02-03
[47]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよび電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019026954A1
,2020-09-10
[48]
情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010052842A1
,2012-04-05
[49]
イットリウムインゴット及びそれを用いたスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP2025166231A
,2025-11-05
[50]
高純度銅クロム合金スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013111689A1
,2015-05-11
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