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スパッタリングターゲット、および、Ag膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210177704
申请日
:
2021-10-29
公开(公告)号
:
JP2022124997A
公开(公告)日
:
2022-08-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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法律状态信息
共 50 条
[31]
窒化ケイ素スパッタリングターゲット、窒化ケイ素スパッタリングターゲットの製造方法、および、窒化ケイ素膜[ja]
[P].
日本专利
:JP2022186052A
,2022-12-15
[32]
スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020031459A1
,2021-08-02
[33]
ルテニウム合金スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006134743A1
,2009-01-08
[34]
ITOスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014156234A1
,2017-02-16
[35]
スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007037191A1
,2009-04-09
[36]
Sb−Te系合金焼結体スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006059429A1
,2008-08-07
[37]
Sb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015146394A1
,2017-04-13
[38]
スパッタリングターゲット及び非晶質性光学薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009147969A1
,2011-10-27
[39]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012165047A1
,2015-02-23
[40]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012141066A1
,2014-07-28
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