一种LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410600503.6

申请日：

2024-05-15

公开(公告)号：

CN118588562A

公开(公告)日：

2024-09-03

发明(设计)人：

张博令海阳

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/40 H01L29/41

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王关根

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-03	公开	公开
2024-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240515

共 50 条

[11]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111697081A ,2020-09-22

[12]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[13]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[14]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115148602A ,2022-10-04

[15]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115513060A ,2022-12-23

[16]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

万宁 ;

李科 ;

丛密芳 ;

任建伟 ;

李永强 ;

宋李梅 ;

黄苒 ;

赵博华 ;

苏畅 ;

李浩 ;

黄振兴 ;

杜寰 .

中国专利 :CN109920737A ,2019-06-21

[17]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

钱文生 .

中国专利 :CN108258051A ,2018-07-06

[18]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN109713033A ,2019-05-03

[19]

一种具有深孔的LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 ;

邢超 .

中国专利 :CN104716179A ,2015-06-17

[20]

高压LDMOS器件及其形成方法 [P].

李业超 ;

黄仁德 ;

张可 .

中国专利 :CN119497408A ,2025-02-21

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