一种水性半导体晶圆切割液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110717731.8

申请日：

2021-06-28

公开(公告)号：

CN113430041A

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

胡丁包亚群

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区开源大道11号C4栋201室

IPC主分类号：

C10M17302

IPC分类号：

C10N3004 C10N3006 C10N3012

代理机构：

广州市百拓共享专利代理事务所(特殊普通合伙) 44497

代理人：

卢刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	公开	公开
2021-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C10M 173/02 申请日:20210628

共 50 条

[1]

一种半导体晶圆切割液 [P].

周诗健 ;

窦璨 .

中国专利 :CN107603693A ,2018-01-19

[2]

一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法 [P].

吴旋华 ;

包亚群 ;

胡丁 ;

罗壮东 ;

李学伟 .

中国专利 :CN115851363B ,2024-01-05

[3]

一种用于12英寸半导体晶圆的砂浆切割液、其制备方法和用途 [P].

侯军 ;

褚雨露 ;

李传友 ;

吕婧 .

中国专利 :CN119120098A ,2024-12-13

[4]

一种SiC晶圆切割用钻石切割液及其制备方法 [P].

向定艾 .

中国专利 :CN115505452A ,2022-12-23

[5]

半导体硅片切割液及其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

孙瑶 ;

李传友 ;

褚雨露 .

中国专利 :CN118620679A ,2024-09-10

[6]

一种半导体切割液 [P].

章成荣 .

中国专利 :CN104419507A ,2015-03-18

[7]

一种硅片切割液及其制备方法 [P].

陈五奎 ;

李军 ;

耿荣军 ;

徐文州 ;

陈磊 ;

冯加保 .

中国专利 :CN104498142A ,2015-04-08

[8]

半导体晶圆切割方法 [P].

克里斯普洛·埃斯蒂拉·小利克陶 ;

皮塔克·肖恩廷佩尔 ;

西里卢克·翁格拉塔娜波恩古恩 ;

马修·曼德拉·费尔南德斯 ;

阿米莱特·德扬·卡布雷拉 .

中国专利 :CN108231571A ,2018-06-29

[9]

半导体晶圆及其制备方法 [P].

韩瑞津 ;

曾辉 .

中国专利 :CN120933170A ,2025-11-11

[10]

一种半导体晶圆切割装置及其切割方法 [P].

陆金发 .

中国专利 :CN115519684A ,2022-12-27

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